PCM memorija iz IBM-a 100 puta brža od flash-a
Inženjerski tim kompanije IBM objavio je da je razvio novi tip PCM memorije (phase change memory) koja pamti nekoliko bitova po ćeliji i koja u poređenju sa aktuelnom flash memorijom omogućava 100 puta brže čitanje i zapisivanje. PCM memorije su do sada mogle pamtiti samo jedan bit po memorijskoj ćeliji, tako da je rešenje IBM tima izuzetan napredak u ovoj tehnologiji.
Takođe, u poređenju sa 25-nanometarskom MLC NAND, koja ima oko 3.000 ciklusa zapisivanja, nova PCM memorija omogućava minimalno 10 miliona ciklusa zapisivanja podataka. Prototip čipa rađen je u 90-nanometarskoj CMOS tehnologiji i ima latenciju zapisivanja podataka od 10 mikrosekundi.
Prema navodima iz kompanije IBM, ova memorija je bazirana na posebnoj leguri koja se uz pomoć kontrolisnih snopova elektriciteta može prebacivati iz jedne faze u drugu.
Ova IBM-ova memorija sledeće generacije trebala bi se početi koristiti od 2016 godine a moći će se koristiti u svim uređajima, od mobilnih telefona do servera.